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比利時umicore高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。

umicore高純鍺晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。

比利時umicore13N高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。

比利時優(yōu)美科13N高純鍺HPGe晶體 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。

8inch英寸鍺片 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。

8英寸鍺片 該晶體使用直拉法在晶體（100）方向延伸。圓柱形表面（表面光潔度小于2.5 μm RMS）。經(jīng)紅外成像法檢測晶體結構穩(wěn)定可靠。晶體幾個結構由直徑和長度決定。