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PILATUS4 R CdTe混合像素光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器
ORTEC帶電粒子探測(cè)器 主要有金硅面壘和離子注入兩種工藝，其耗盡層厚度從10微米到幾個(gè)毫米厚不等。而根據(jù)其幾何形狀與是否全耗盡又有諸多類型。選擇合適的帶電粒子探測(cè)器，除應(yīng)用本身外，在探測(cè)器上應(yīng)從耗盡層厚度、結(jié)電容、漏電流、電子噪聲、能量分辨率等性能指標(biāo)上綜合權(quán)衡
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2026-01-20
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2025-08-11
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